存储设备制造商美光日前发布官方消息，美光该公司称计划在 2024 年上半年推出首款 GDDR7 内存，宣布该内存预计将用于下一代显卡，将年lg滑盖手机（lg滑盖手机 全金属）提供比 GDDR6 和 GDDR6X 更好的上半性能。

美光称 GDDR7 内存将基于美光 1ß 节点上生产，年提能更内存晶体管规模更大、供性密度也更高，主用可以继续提升闪存芯片的于显性能。

技术细节方面美光 GDDR7 内存将使用 PAM3 信令，卡蓝lg滑盖手机（lg滑盖手机 全金属）这是点网一种三级脉冲幅度调制系统，包括 – 1、美光0 和 + 1 信令级别，宣布能够在两个周期内传输三位数据。将年与 GDDR6 使用的上半两极 NRZ 相比，PAM3 提供更高效的年提能更内存每周期数据传输速率，从而不是必须升级更高的频率，同时还可以减少潜在的信号丢失问题。

美光没有透露其 GDDR7 内存的数据传输速率，不过之前三星提供过类似数据，三星预计 GDDR7 数据传输速率在 36GT/S，当前 GDDR6X 的数据传输速率为 22~23GT/S。

值得注意的是虽然美光在明年上半年推出 GDDR7 产品，但短时间内可能也无法再商业产品中使用，因为 GDDR7 采用新的编码机制，因此也需要搭配新的主控芯片。所以美光推出 GDDR7 闪存芯片后，还需要开发新的主控芯片。

而 AMD、Intel、NVIDIA 是否会在 2024 年推出下一代 GPU 还是未知数，毕竟按之前传闻，NVIDIA 有可能会推迟发布 RTX 50 系显卡。