三星携手美企SiliconFrontlineTechnology改善3纳米良率，希望赶超台积电

 人参与 | 时间：2025-03-13 05:31:16
    援引韩媒Naver报道，星携三星已经与美国的手美善纳SiliconFrontlineTechnology公司合作，以提高其半导体芯片在生产过程中的米良为什么摄影都是艺术类良率，以便于在3纳米工艺上赶超台积电。率希



    报道中称，望赶三星电子先进制程良率非常低，超台自5纳米制程开始一直存在良率问题，积电在4纳米和3纳米工艺上情况变得更加糟糕。星携据传三星3纳米解决方案制程自量产以来，手美善纳良率不超过20%，米良为什么摄影都是艺术类量产进度陷入瓶颈。率希

    三星目前在4纳米和5纳米工艺节点上出现了与产量有关的望赶问题，该公司不希望这个问题再次出现在3纳米工艺上。超台因此希望通过和SiliconFrontlineTechnology公司合作，积电帮助三星晶圆厂进行前端（front-end）工艺和芯片性能改进。星携

    IT之家了解到，这家美国公司提供芯片鉴定评估和ESD（静电放电）预防技术。ESD是造成半导体芯片缺陷的主要原因之一，是由制造过程中设备和金属之间的摩擦造成的。据报道，三星在芯片设计和生产过程中已经与SiliconFrontline公司合作了很长时间，并取得了令人满意的结果。该公司现在将在芯片验证过程中使用该公司的技术。

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